NY∕T 3571-2020 芦笋茎枯病抗性鉴定技术规程(农业)
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ID： |
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文件大小(MB)： |
0.22 |
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页数： |
8 |
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文件格式： |
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日期： |
2021-12-27 |
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ICS 65.020,B 16 NY,中华人民共和国农业行业标准,NY/T 3571-2020,芦笋茎枯病抗性鉴定技术规程,Technical code of practice for resistance identification,on asparagus stem blight,2020 - 03 - 20 发布2020 - 07 -01 实施,也中华人民共和国农业农村部发布,.. ~,~/T 3571--2020,I,~/T 3571--2020,芦笋茎枯病抗性鉴定技术规程,范围,本标准规定了芦笋抗茎枯病(asparagus stem blight) 病原物接种体制备、抗病性鉴定和抗性评价标准,本标准适用于芦笋品种及种质资源对茎枯病抗性鉴定,2 术语和定义,下列术语和定义适用于本文件,2 1,芦笋茎枯病asparagus stem blight,芦笋茎枯病是由天门冬拟茎点霉[Phomopsis aspα ragi CSacc. ) Bubak J 引起的一种真菌病害，其病,原特征参见附录A o,2 2,接种体inoculum,用于人工接种鉴定用的能够侵染芦笋并引起茎枯病的天门冬拟茎点霉CP . as户αragi)分生于包子悬浮液,2. 3,人工接种artificial inoculation,在适宜发病条件下，通过人工操作将人工繁殖的接种体接种于植物体适当部位的过程,2. 4,病情指数disease index,将发病率与严重程度结合起来，全面反映病害发生程度的综合指标,2 5,抗性评价res istance evaluation,根据采用的技术标准，判别植物寄主对特定病害反应程度和抵抗水平的捎述,3 病原物接种体制备,3 1 病原物分离,将采集的芦笋茎村'病新鲜标本，采用组织分离法分离病部的茎枯病菌，用PDA 培养基进行纯化培,养，保存在培养基斜面试管中备用， PDA 培养基具体配制和使用方法参见附录B,32 接种体制备,病原菌在含PDA 培养基试管里半天光!!l!下培养7d ~ 1 0 d ，转接到含PDA 培养基的培养皿平板上同,样条件下扩大培养5 d~8 d ，然后在全天黑光灯下光照培养8 d~ 12 d 。用无菌水洗下袍子，将接种抱子,液用0 .1 % 吐温2 0 调至每毫刑1X10 '个备用。以上菌株培养及产抱均在2 50C~ 280C 下进行,3. 3 病原菌保存,采用芦笋组织、保存法。将直径为5 mm 的菌块5 块，接入高压灭菌的装有芦笋组织的三角瓶中(将芦,笋的茎轩基部切成5 mm X5 mm 的方块) ，在250C ~ 280C 下培养7 d ~ 10 d 后，分装于1WC 干热灭菌的,牛皮纸内，封口,4 抗病性鉴定,4 1 芦笋茵的培育,4. 1 1 培养钵的准备,~/T 357 1--2020,芦笋栽培土于160.C 干热灭菌120 min . 冷却至室温后，填充进培养钵中,4. 1. 2 播种,芦笋种子催芽后擂于培养钵中，每品种设5 个重复，每重复播10 钵，每钵播3 粒利z子,4. 1. 3 栽培管理,S.C -2 8.C 温室内自然光照下栽培， 每天早上、傍晚各浇水1 次。接种前检查苗俏， 应保持商情健壮,4.2 接种和保湿培养,4. 2 1 接种,待芦笋茵i主至15 cm-18 cm 高,4.22 保湿培养,在2S.C - 28.C 、90 %d,至感病对!!自充分,4.3 病情分级,4.5 j,式中.,5,11,5 抗性评价,3.2) 进行人工喷雾接种,的温室内继续生长8 d-10,C,(1),统计同一品种不同重复的鉴定结果，计算出平均病情指数。以下评价标准适用于芦笋茎枯病抗性鉴,定与品种抗性评价，具体评价标准见表2 .,表2 芦笋茎枯病抗性评价标准,病悄指数抗感得级代码,运20 抗病R,20. ]-40 中抗MR,40. ]-60 中感MS,> 60 感病5,2,A. 1 病原物,附录A,(资料性附录),芦笋茎枯病病原,天门冬拟茎点霉(P. as pα ra gi) 属丝分袍子真菌拟茎点霉属真菌,A.2 形态描述,NY/T 3571-2020,分生于包子器形成于子座中，单生或2 个-3 个聚生，扁球形至近三角形，黑色，孔口突出，近孔口处壁厚,分生于包子角乳白色， α 型分生抱子长椭圆形至梭形，无色，单胞，两端各具l 汹球，大小范围(7. 5- 1 0. 0) μm X,(2 . 5-3.0) μm o ?型分生抱子主要为线形，亦有钩形和波浪形的，大小范围(1 7.5 -26.0)μm X (1. 0-2. 0),μm o 中间类型袍子大小范围为02 . 0- 17. 0) μm X (2. 5-4. 5) μm o 400X 镜下分生抱子显徽图像见图,A.1 ,",、,注A. a~分生抱于; 且R 型分生抱子.,图A.l 400x 镜下分生抱子显微图像,3,~/T 3571--2020,附录B,{资料性附录),PDA 培养基的制备和使用方法,B.1 制备方法,去皮马铃薯200 g. 切小块煮沸30 min 过泌。取泌液，放入煮锅中，加琼脂18 g. 煮至透明，然后加入,葡萄糖20 g. 调节p H 6.5. 补足水至1 000 mL o 分装到三角瓶中，加塞子密封.121 0C 高压灭菌30 mino,B.2 使用方法,将灭过菌的装有PDA 培养基的三角瓶置于微波炉中融化，然后按10 mL 每个的盘倒入9cm 直径的,Petri 培养Jlll 中，冷却后，用接种针接人菌丝块.,4,病情调查记载表见表C. l ,处理重复总株数,2……
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